Capacidade: 16GB
Velocidade da Frequência: 2666MHz
Características / Benefícios:
DDR4
VDD = 1,2V Típico
VPP = 2,5V Típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminais nominais e dinâmicos no DIE (ODT) para dados, oscilação e máscara de sinais
Geração e calibração VREFDQ no DIE
Single-Rank
Especificações:
CL(IDD) 19 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin) 46,16ns (min.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.)
Consumo (operando) TBD W*
UL Rating 94 V – 0
Temperatura de Operação 0oC a +85oC
Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC
